[硅]美国SiOnyx获哈佛大学黑硅专利的独家使用权

发布时间： 2008-11-7 10:45:19       资讯来源：solarbe.com  
美国哈佛大学技术开发局（OTD）和美国SiOnyx于近日宣布，哈佛大学将向SiOnyx提供名为“黑硅（Si）”的特殊硅材料的专利授权。SiOnyx将获得哈佛大学黑硅相关专利的独占使用权，争取实现商用化。
    据了解，黑色硅材质是电子产业革命性的新材料，根据材料显示，黑硅的光敏感度是传统硅材质的100至500倍，同时比传统材质更轻。哈佛大学的物理学家Eric Mazur表示，创造这种特殊的硅材质，需要通过强大的激光束照射硅晶片，所需要的激光功率约相当于太阳在一瞬间照射地球表面的所有光的强度。

    黑硅的研究始于90年代末，Eric Mazur教授研究小组的某个研究提案，不过该提案获得了美国军队的资助。据Mazur博士透露，“我的军队赞助资金即将耗尽”“我只是根据之前的研究提案写了一个研究方向”。
    不过黑硅被发现在电子显微镜下具有如森林状的小波峰。研究人员发现，这种材质的光感性比传统硅材质强100倍至500倍。今后，这种材质将可以用在太阳能电池和光传感器，数码相机和数码拍摄设备上，同时，夜视系统中也可以使用这种材质。
    另外，这种黑硅也可检测出不与普通硅发生反应的红外线。另外黑硅的制造工艺可嵌入到目前半导体制造工艺中，不需要使用新材料。
    SiOnyx是旨在将哈弗大学的研究成果应用于商业目的而成立的企业。已从风险投资公司等筹集了1100万美元的资金。