石墨烯不适合做硅材料接班人 方向错？

12月25日，中国触摸屏网讯


     美国麻省理工学院(MIT)与哈佛大学(Harvard University)的研究人员认为大家可能都搞错了方向，应该是找寻性能媲美石墨烯、但具备能隙的化合物材料。

      石墨烯是一种非常好的半导体材料，这是公认的事实。 让石墨烯(graphene)成为半导体硅材料的接班人，已经成为美国、日本、欧洲甚至是中国等地政府大力支持的优先研究项目；但近期有研究人员认为由于石墨烯缺乏能隙(bandgap)的自然特性，并不适合做半导体。

      研究人员指出，有一类以NiHITP (nickel hexa-imino-triphenylene)为代表的材料，就拥有上述特性。MIT化学教授Mircea Dinca表示：“就像石墨可剥离为石墨烯(也不过就是片状的石墨)，我们所开发的材料也能剥离成片状;相较于石墨烯层，我们的材料层是能透过受控制的化学改质(chemical modification)来调节，因此能有系统地改变其电子特性。”

       该种新开发材料的正式名称是“Ni3(HITP)2”，因为它键合了镍(Ni)的3个原子以及2个HITP有机分子;不过NiHITP只是一个具备天然能隙之材料类别中的第一种，能针对特定应用在原子等级调节其电子功能。

       类石墨烯材料的分子架构会自然形成六角形晶格，而每个六角形的开口都能完全对齐

       Dinca指出：“我们还没量测出这种材料的能隙，但确定它大于0;石墨烯的能隙是0，并不适合做为半导体。我们现在正试图将该种材料制作成大尺寸的片状，首先要量测它的能隙并能更清楚描述其电子特性，其次则是用该种材料来制作组件;而这也是我们所面临的挑战。

有时候，看到国外的一些最新发明真让人觉得感触颇多，他们的发明真的是极致的创新。在国内还在大力模仿石墨烯的时候，他们又有这样的物质发明了。

我们基础科研落后的太多....