使用ICP-MS检测三氯氢硅痕量金属杂质前处理的过程

webmaster · 发表于 2012-9-11 06:45:00

使用ICP-MS检测三氯氢硅痕量金属杂质前处理的方法

发一个分析三氯氢硅中B、P及金属杂质含量样品前处理的方法，如果大家有其他的方法可以一起讨论的！

ICP-MS 7700s

在百级通风橱橱中，用移液枪移取 0.5ml 的乙腈到 100ml PTFE 烧杯中。接着用减量法称取约 15-20g 的氯硅烷样品放于 PTFE 烧杯、摇匀。将烧杯置于电热板上加热，温度控制在110~120℃左右，氯硅烷挥发蒸干。取下冷却，用移液枪移取 1ml HF，往杯壁转圈加入到 PTFE杯中，摇匀将残留硅完全溶解。将 PTFE 烧杯放在 120℃电热板上加热，约 1 小时后蒸干，取下冷却。加入约 5ml 的 5%的稀硝酸，称重记录其重量。随同试样做两个样品空白。
样品处理好后，使用ICP-MS分析。如有需要ICP-MS使用方法的同仁，可留下邮箱

匿名 *发表于 2012-9-11 15:05:00* · 发表于 2012-9-11 15:05:00

哟西哟西，当上版主了，开始做贡献了。你猜我是谁？9527

匿名 *发表于 2012-9-11 15:33:00* · 发表于 2012-9-11 15:33:00

当然知道啊！michael,被你认出来了

匿名 *发表于 2012-9-12 11:11:00* · 发表于 2012-9-12 11:11:00

hbly8251@163.com

匿名 *发表于 2012-9-12 11:34:00* · 发表于 2012-9-12 11:34:00

你需要安捷伦7700s的还是pe公司 elan drc2的资料啊？

匿名 *发表于 2012-9-12 11:45:00* · 发表于 2012-9-12 11:45:00

安捷伦的7700s

匿名 *发表于 2012-9-12 11:48:00* · 发表于 2012-9-12 11:48:00

你还在做多晶硅吗？可以去看看我写的“我的多晶硅工作日记”那篇帖子看看哦！要回复一句，就极好了

匿名 *发表于 2012-9-13 14:19:00* · 发表于 2012-9-13 14:19:00

谢谢给我发的7700s，还请再把pe的也发一下，另外把您的那篇日记也一并发给我，我是个新人，想多学习学习，谢谢了。

匿名 *发表于 2012-9-13 14:29:00* · 发表于 2012-9-13 14:29:00

帖子就在多晶硅板块的啊，你自己可以去看看的，记得回复哦，PE的资料我明天给你发的，今天移动硬盘没带

匿名 *发表于 2012-9-13 15:48:00* · 发表于 2012-9-13 15:48:00

发份mary.li.h@163.com了解下

匿名 *发表于 2012-9-6 14:25:00* · 发表于 2012-9-6 14:25:00

大家有没有三氯氢硅合成再沸器底部残渣好的处理方法，互相交流下，貌似有的厂家是直接通到碱液池里，这个方法可取么？

匿名 *发表于 2012-9-28 10:30:00* · 发表于 2012-9-28 10:30:00

合成再沸器残渣中夹带有大量的硅粉，杂质含量比较大，所以处理起来比较麻烦，不过通入碱液池比较浪费，可以考虑过滤后在区残液回收进行蒸发处理。

wgxn · 发表于 2015-11-9 09:11:25

请问加乙腈的目的是什么呢？还有，有ICP-OES检测三氯氢硅的方法吗？我的邮箱是ljmbest8@163.com

使用ICP-MS检测三氯氢硅痕量金属杂质前处理的过程

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