单晶硅拉晶细则

单晶拉晶细则

1，停炉：收尾结束后停炉

首先将F3速度控制里控速输出清零，温校速率与温校输出清零，再将F4继电控制里面的电流过低报警及下依次关闭，将欧陆表WSP打闭环至OP，将功率降至0，然后关闭加热按钮，

同时将埚转关闭，晶转调低（如由原来10转改为5转），关闭晶升，待关闭加热按钮5小时后拆炉

2，拆炉：

首先热后真空检漏，关闭Ar气抽至真空状，然后关闭真空阀，关闭主室泵，3min不超1Pa说明炉内密封性良好（升晶棒前应将晶转关闭），然后关闭真空计，打开Ar气，待Ar气充至一定时间将内外压力平衡，此时可打开门将Ar气关闭，为安全起见将主副室隔离板落下进行隔离，开启液压系统，卸荷（长按听到响声为准）升副室，取晶棒。

3，拆炉后清理

清罐作业，先通下抽空管道有无堵塞，打开真空阀清炉，确认换油次数（6次）与大清次数（6次）

4，炉内大清

待冷却后依次将托杆，电极螺丝，加热器，保温罩，套筒，电极，压板等取出放置妥当，然后对炉底与加热器及其它清理，安装先放炉底保温层，压板，用电灯对下抽空管口是否对好，放保温罩，用吊锤对比聚光口中心位置。

然后取两大四小钛膜片，先放置两小，装电极，放两大，放加热器，再放两小，放电极螺丝(放保温罩分9层如八五型则为850mm，取双层铁丝捆扎)

5，装炉

吸下炉底杂物，确认电极螺丝与托杆牢固，三瓣埚应均匀置于加热器中心，上层保温罩与放置中心避免与三瓣埚，加热器有摩擦，石英埚也应放置平稳，避免一边高一边低

装料时注意细节：将掺杂物（母合金）放置最底部，硅料切勿挂石英埚边，切勿将硅料的面贴住导流筒，导流筒放置平稳，不要将硅料堵塞导流筒口，在炉盖降前注意炉筒以及炉盖上的橡皮圈是否放好

6，加热前真空检漏

在打开主室泵前首先确认主室阀是否处于关闭状态，切记，然后开启主室泵（点动二到三次，避免皮带打滑），打开主室阀约1/3听到响声为准，待副室中压力表低于-0.05时之后全开，过会打开真空计，充Ar气2~3次，每次约为5~10分钟，然后抽至真空状，压力值小于7Pa，然后3分钟检漏泄漏不超过1Pa

7，加热

打开加热按钮，功率升到30KAV，打开电流过低报警及下，隔半个小时调至60KAV，再隔半个小时调至85~90KAV

8，熔硅

熔硅过程中应观察硅料有无贴边，挂边，当料塌落时观察无硅料过高，打开埚转为1转，观察倒影看导流筒或石英埚上是否有料粘挂（出现此情况应根据料融化情况反复升降埚位直至料落），当料融化离导流筒有一定距离后升埚位（防止埚在高温下变型），当硅料化完时将埚位升到挥发埚位挥发（导流筒边缘与液面中石英埚边光亮倒影基本重合），此时将功率降至65KAV对其挥发半小时，挥发后将功率将至30KAV左右降温，此时可将埚转调为6转加快降温，保守起见可将埚位先升至导流筒与液面中导流筒倒影基本重合，待温度将要将至引晶温度时再升埚位至引晶埚位，当温度降到上次引晶温度时打闭环至WSP自动状态（新炉首次调温可将功率调至45KAV，待稳定后降子晶试温）

9，寻找引晶温度

温度完全稳定后将子晶先降至液面上预热，将晶转打开调至10转，再将子晶降入液面，稳定一段时间后观察温度是否合适，引晶温度不易过低，容易造成在放肩时坏掉

10，引晶

当温度合适后待四个角长出后开始引晶，将晶升打开，计长清零，根据情况将埚转调为6转或8转，引晶要均匀，当光圈大四个角出现时可升拉速，待光圈小时降拉速（从粗子晶处收细时可将拉速缓慢降拉速），当拉速回到0时，可适量给零点几的拉速能够较好的观察四角的生长情况，引晶是为了排除错位，规定引晶长度为150mm

11，测电阻

将子晶降至液面下，将温度调低于引晶温度500到1000点当肩长到一定大小时提肩，将温度从新调至引晶温度，升子晶到副室，打开主室Ar气后放下挡板副室Ar气冲开门，用高温手套捏住子晶老虎钳夹出销子

12，放肩

引晶完成后将拉速调至0.4，根据情况放溜肩或平肩在不同时间调温校速率