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从反应活化能垒角度探讨 多晶硅还原机理
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从反应活化能垒角度探讨 多晶硅还原机理
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webmaster
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TA的每日心情
郁闷
4 天前
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[LV.6]常住居民II
webmaster
发表于 2013-1-28 06:29:00
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三氯氢硅还原反应是改良西门子法生产多晶硅的主要过程,本文对三氯氢硅还原反应进行分子模拟,采用密度泛函理论方(DFT)研究了三氯氢硅还原成多晶硅的能量变化,对其分子结构进行优化,通过LST/QST 方法计算多晶硅还原过程中可能出现的过渡态及能量的变化,得到过渡态TSa、TSb、TSc。结果表明,三氯氢硅还原反应通道Path a 所得过渡态的活化能垒较低,过程进行较顺利。
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匿名
发表于 2013-3-3 07:57:00
谢谢楼主分享
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