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从反应活化能垒角度探讨 多晶硅还原机理

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  • TA的每日心情
    郁闷
    4 天前
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    [LV.6]常住居民II

    webmaster 发表于 2013-1-28 06:29:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
    三氯氢硅还原反应是改良西门子法生产多晶硅的主要过程,本文对三氯氢硅还原反应进行分子模拟,采用密度泛函理论方(DFT)研究了三氯氢硅还原成多晶硅的能量变化,对其分子结构进行优化,通过LST/QST 方法计算多晶硅还原过程中可能出现的过渡态及能量的变化,得到过渡态TSa、TSb、TSc。结果表明,三氯氢硅还原反应通道Path a 所得过渡态的活化能垒较低,过程进行较顺利。
    匿名  发表于 2013-3-3 07:57:00
    谢谢楼主分享

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