多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响

tangnaimei · 发表于 2012-11-14 04:11:00

用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积( ECR2PECVD) 技术,以Si H4 和H2为气源,在350 ℃的低温条件下,在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜。主要考察了中间层对多晶硅薄膜沉积质量的影响。实验证明,当中间层的沉积温度为350 ℃, H2 流量为20 sccm 时,得到多晶硅薄膜晶粒的直径最大,为53 nm ;且随着中间层沉积温度的提高,薄膜的结晶度提高。
研究多晶沉积的同仁，可以下载看看了！

匿名 *发表于 2012-11-14 12:35:00* · 发表于 2012-11-14 12:35:00

谢谢分享！

匿名 *发表于 2012-11-14 14:53:00* · 发表于 2012-11-14 14:53:00

试验阶段有待加强

匿名 *发表于 2012-11-14 14:54:00* · 发表于 2012-11-14 14:54:00

试验阶段有待加强

多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响

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