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铸造多晶硅的缺陷

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    [LV.5]常住居民I

    tangnaimei 发表于 2012-12-10 01:53:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
    浙江大学硅材料重点实验室教授的一个PPT课件,主要讲间隙氧、替位碳、过渡金属杂质、缺陷、位错等对硅晶体质量的影响。课件有很多很好的图片,可以下来研究研究。

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