制备多厚度的多晶硅栅极的方法

本发明公开了一种制备多厚度的多晶硅栅极的方法，包括在硅衬底上完成阱区注入以后，用热生长方法形成厚栅氧化层；生长第一多晶硅层，通过干法蚀刻去除其他区域的多晶硅和厚栅氧；生长第二多晶硅层；通过干法蚀刻，去除非对应第二多晶硅层厚度的区域及第一多晶硅层上部的多晶硅。本发明实现了多晶硅栅极上两种不同厚度的多晶硅同时并存，从而解决单一厚度的栅极工艺无法集成某些特殊工艺，如５５纳米下的中、高压工艺的缺点。为特殊工艺的相互集成提供更为广阔的空间。并且操作简便，成本低廉。
申请号  201110265256 　
申请人 上海华力微电子有限公司