硅烷热分解汽相淀积多晶硅

发一篇相关文章，本文讨论了电荷耦合器件CCD的多晶薄膜的淀积, 研究了多晶硅薄膜的掺杂, 报导了以三氛化磷为淀积多晶硅薄膜的修杂剂实验结果文中还分析了多晶硅对CCD器件性能的影响。
       由于硅烷的热分解温度低, 对装置材料没有腐蚀作用, 分解反应也不形成有害的物质,而且硅烷热分解汽相淀积多晶硅的方法与蒸发法、溅射法相比, 所淀积的膜纯度高、晶粒细, 能满足CCD器件性能和光刻工艺的要求因此, 这一方法有独特之处, 成为CCD传感器的关键技术之一,