三氯氢硅合成生产工艺的优化

jzlh · 发表于 2010-2-22 14:59:41

三氯氢硅合成生产工艺的优化

三氯氢硅合成收率的主要影响因素是：合成炉的温度、压力，冷却水的温度和压力，硅粉的加入量等
控制主要技术条件:
上,中,下温度:280~320
炉顶压力:100~140mmHg
压差:110~170mmHg
分布板压:19~21乇(分布板上的阻上差约等于)
HCL压力:300~400
除尘器温度:150左右
硅粉粒度:80~120目

（来自网络）

zjhg · 发表于 2010-2-22 19:17:22

学习了谢谢

wcy025 · 发表于 2010-4-23 12:50:36

都什么年代的资料了，还拿出来。搞点实际的东西撒。

gysml · 发表于 2010-11-18 15:25:57

先学习学习一下

jyt1978 · 发表于 2010-12-6 09:31:07

都什么年代的资料了，还拿出来。搞点实际的东西撒。

limingshuguang · 发表于 2011-8-5 09:34:51

温度有个梯度吗？应该多少合适？

三氯氢硅合成生产工艺的优化

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