富士康研发出可提高LED量子效率的新技术

发布时间： 2009-7-1 10:35:44    浏览次数： 91   
据LED环球在线报道  富士康(Foxconn)近日研发新技术用来提升LED的量子效率，该项美国专利的申请将挑战目前LED芯片厂的工艺技术。富士康这项提升LED的量子效率的新技术，是通过纳米微粒掺杂?限层(confininglayer)的方式，让氮化??(InGaN)与砷化铝?(AlGaAs)活性层的晶格排列更平滑有序。研发人员宣称以氢化的碳化硅(hydrogenated SiC)作为LED的基板材料，可以有效改善LED芯片的散热问题。
　　此外，富士康还在5月28日提出两项LED专利的申请，范围包括使用InGaN或AlGaAs作为活性层、单量子阱或多重量子阱层。富士康的LED与一般LED外延结构的差别在于，前者在活性层两侧的?限层掺杂了直径20-200 nm的纳米微粒。
　　发明人陈杰良(Ga-LaneChen)为鸿海集团的首席技术官，他在专利申请书中指出，掺入的纳米微粒可以是氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氧化?(GaO)、氮化?(AlN)或氮化硼(BN)，将有助于改善LED裸晶的芯片质量。专利中写道，纳米微粒可以改变n型与p型?限层的晶格常数 (latticeconstant)，进而减少晶格的应变。通过减小应变，在n型?限层上沉积活性层以及在活性层上沉积p型?限层时，可以降低晶格错位(dislocations)产生的机会。此外，晶格应变减小也会使活性层与?限层间的应力降低，进而改善量子效率。

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