中国大陆二线晶圆厂逆势建厂

发布时间： 2009-1-4 17:16:32    浏览次数： 208   资讯来源：Digitimes  
据DigiTimes网站报道，在中芯国际积极与大陆地方政府合作建厂的创新模式带动下，近期大陆渐形成新一波二线厂建厂风潮，包括传出山东华芯12寸厂、河南郑州晶诚科技8寸厂等均不畏景气严冬投资兴建，尽管仍有新一波投资者跃跃欲试、逆势推进盖厂，不过，前一波宣布兴建晶圆厂包括苏州和发、重庆渝德、北京阜康却面临停摆状态。大陆半导体业者认为，此时新厂投资案应更谨慎。
    放大自从中芯与大陆各地方政府合作，创造由地方政府出资、中芯出力的营运模式奏效后，在成都成芯、武汉新芯案例便成为大陆各地方政府积极仿效对象，欲打造境内晶圆厂、自给自足IC供应链的投产计画纷出炉，近期包括河南郑州出口加工区将兴建“晶诚科学园”，打造8寸电源管理IC晶圆生产厂，初估年产能约3万片8寸晶圆。
    大陆河南官方指出，“晶诚科学园”专案系由台湾富霖国际投资集团投资10亿美元兴建，是省、市确定的重点建设专案，主要生产功率半导体，可广泛应用于信息产业、先进制造、数码家电、汽车电子等领域，目前已完成投资人民币20亿元，2008年5月第1条封装测试生产线顺利投产，晶圆产线日前亦正式投产，年生产8寸电源管理芯片约3万片，产值约2,000万美元。
    另1案例则在山东，由深圳挂牌企业浪潮电子与山东省高新技术投资、济南高新控股集团合资的华芯半导体，预计总投资超过人民币200亿元，拟兴建12寸晶圆厂。此外，之前亦传出超微(AMD)与山东济南签订战略协议，但是否涉及制造设厂或技术合作，超微则不予置评。
    尽管在不景气当下，大陆仍有新一波建厂遍地开花，不过，反观前一波宣布兴建晶圆厂投资案，许多面临资金短缺或打算暂时缩手，包括尔必达(Elpida)拟投资的苏州和发宣布暂缓，海力士(Hynix)位于无锡扩产计画也叫停，至于台湾业者包括在重庆的渝德，亦因为大股东茂德在台晶圆厂营运陷入关卡而进度停摆。大陆半导体业者认为，从过去多项投资案都暂缓实施看来，新投资案在此时倒行逆施不可不慎。

英特尔大连晶圆厂计划没有任何改变
发布时间： 2009-3-16 10:53:22    浏览次数： 117   
据EE Times网站报道，针对近期关于大连晶圆厂建设推迟的传言，英特尔予以否认，并表示仍将按计划在明年投产。
    英特尔于两年前宣布了将在中国北部城市大连投资25亿美元建300mm晶圆厂，这是芯片龙头在中国的第一家晶圆厂，投产初期将生产90nm芯片组。
    英特尔发言人Chuck Mulloy近日通过邮件表示，大连晶圆厂计划没有变动，公司仍将在该工厂制造90nm芯片组。但他指出英特尔已拿到65nm的生产许可，是否进行65nm生产还将做进一步决定。
    英特尔将在今年晚些时候装载设备，预计2010年投产。
    近期来自设备界的传言称英特尔将大连工厂推迟了至少3到6个月。
   “要知道这是英特尔在中国的第一家工厂。”Mulloy说道，“决定上马前我们做了充分的考虑。”

中国大陆太阳能硅晶圆降价排库存
发布时间： 2009-3-16 10:00:39    浏览次数： 247   
大陆硅晶圆大厂库存压力一直难排解，近期部分大厂已开始大举出清库存，导致6寸多晶硅晶圆现货价格出现每片跌破5美元情况，并使得两岸太阳能硅晶圆现货市场报价再陷混乱局面。不过，太阳能业者透露，由于近期某些货源质量疑虑大，就算不断降价，也没有买家愿意出手，这更增加市场报价的混乱性。
　　大陆几家具规模的太阳能硅晶圆厂自2008年第4季起库存压力续增，加上2009年第1季景气仍持续低迷，市场买气不旺，前阵子除传出硅晶圆厂减产停工，近期更进一步引爆压力锅，硅晶圆大厂开始采用积极手段出清库存，除态度坚持要合约客户履行合约进货，亦积极在现货市场倒货。
　　太阳能业者透露，在这波倒货潮出现后，两岸太阳能硅晶圆现货市场进入兵慌马乱期，尤其因为报价过于混乱，使得原本每片仍可维持在5~5.5美元水平的6寸多晶硅晶圆，近期却已有诸多大厂报价跌破5美元关卡情况。
　　太阳能硅晶圆厂表示，这波不景气爆发以来，太阳能硅晶圆现货市场虽然顺利让一些买高卖高的投机客退出市场，暂时使得市场秩序维持一阵子良好，但因景气持续低迷，近期现货市场快速汇集不少「急求现」的卖家。
　　太阳能业者认为，这波硅晶圆跌破5美元关卡，除凸显大陆某些硅晶圆厂库存压力过高，另1个重要原因，则是来自于两岸电池厂本身订单不足，纷将多余料源销往现货市场，以赚取小额利润，或是藉此以利于短期资金运转所需，甚至是协助贸易商，由于各供应商所处环境不同，构成混乱的因素亦不同。
　　值得注意的是，虽然报价已出现跌破5美元情形，但太阳能业者指出，由于这波不景气，急于求现的业者增多，亦造成诸多硅晶圆质量疑虑偏高问题，目前多数买家都心知货源出处，因此，有些即使低价大力销往现货市场，仍面临没买家出手窘境，变成同一批货源不断降价，严重扰乱现货市场报价。
　　对于台系太阳能硅晶圆厂而言，以中美晶及绿能的运作模式来看，这2家厂倾向于专注合约客户，积极找寻更便宜料源，帮助合约客户降低平均购料成本。

专家认为，受持续增长的移动设备和汽车应用需求的驱动，晶圆级封装(WLP)将向I/O数更高和引脚节距更小的方向发展。2009年其他需要关注的WLP趋势还包括大功率和高精度精密器件、穿透硅通孔(TSV)、扇出和嵌入式闪存。　　日月光公司(ASE，中国台湾省台北)工程部主任JohnHunt说，在日月光WLP的总体比例仍然偏低，占封装业务不到10%。但对WLP的需求却在增加。“我们看到那些从未使用过这种技术的客户正在从旧的封装形式转变到WLP，”JohnHunt说。“他们的终端客户正在这么要求，因此这种业务量是不断增长的。”
　　由于对高I/O数小型封装的需求增加，Hunt说WLP将会逐渐地占据传统的球栅阵列封装和引线框架的市场份额。
　　WLP意味着大多数封装工艺步骤将在晶圆级上进行。它被认为是芯片倒装封装的子集，只是引脚节距和焊料球稍大。它与封装内倒装芯片或板上倒装芯片的主要区别在于，WLP能够通过标准的表面贴装技术贴装到低成本基板上，而不是需要像倒装芯片封装那样使用一个插入板。
　　不断增长的需求
　　Hunt说便携式设备是WLP的市场驱动力，WLP的优点在于尺寸、重量和电气性能。“我
　　们也注意到，由于汽车复杂性的增加，导致WLP在汽车应用中有所增长，”他说。“但是ASE和其他公司进行大规模量产的主要用于手持设备，比如移动电话、游戏机、PDA、照相机及其他消费者希望能放入兜里、轻易携带的设备。电性能频率越高，那么噪音越小、寄生效应越低，因此电池寿命更长点。我们都希望便携设备的电池电量能够持续更长时间。”
　　便携式系统驱动了对晶圆级封装的需求
　　封装业务咨询公司TechSearchInternational(德州奥斯丁)的总裁JanVardaman说，2009年WLP的热点将会是扇出型封装。“2009年，业内将会看到这些扇出型封装在移动电话中的首次商业应用，”她表示。越来越多的移动电话使用了卡西欧微电子(东京)的贴铜WLP技术。英飞凌(德国Neubiberg)开发了一项嵌入式晶圆级球栅阵列(eWLB)封装技术，也有望被一些公司采用，Vardaman说。
　　高I/O引脚数
　　WLP技术中对高I/O数量的需求正在增长。一两年前I/O数还在40-80的范围内，但现在测试中的I/O数已经攀升至192。Hunt透露，一些ASE的客户已经达到120或144，这正在成为一项真正的技术挑战。
　　“我们正在提升该技术的能力，”他说。“这要求我们改进聚合物系统，其原因是在再分布和再钝化过程中，聚合物充当了软垫。它消除了焊料球的部分应力，所以它的尺寸也相当关键。材料性质、金属成分和焊料合金的结构以及RDL和UBM的组装方式也十分重要。”
　　有必要做进一步的改进以使I/O数量达到200。这是产品实现量产的主要挑战。“越来越多的无线设备的I/O数目变得更高，”Hunt解释说。
　　“将蓝牙、FM收音机、TV调谐器和GPS单元整合到一个单独的芯片中将大大增加I/O数量，这是I/O数量增大的主要驱动因素。并且在高I/O的情况下获得相当的可靠性，这也是一项巨大的技术挑战。”
　　更小的引脚节距
　　在过去的几年中，引脚节距从0.5mm演变成0.4mm，现在的目标是0.3mm。“产业何时能发展到那里，很大程度上取决于基板何时能发展到那里。还没有人向我们要求0.3mm引脚节距的产品，但是我们一直被询问对它的工程评估。”Hunt指出，实现0.3mm的困难包括很难找到匹配的基板。“另一个问题是可靠性。每次引脚节距改变时，焊球尺寸也会随之缩减。很明显，你不能在窄引脚节距上继续使用大尺寸的UBM。但如果你缩小了UBM和焊球的尺寸，那么焊柱的支撑截面积也将降低；随之结构完整性下降，并将影响跌落测试的结果。”
　　然而，引脚节距从0.5mm转变为0.4mm时，ASE在温度循环性能上取得了进步，因为相同I/O数目下封装尺寸缩小了。对于更窄的引脚节距来说，封装尺寸不需要很大，因此到中性点的距离也下降了。Hunt说，这将导致节距收缩时温度循环性能的提升，但是跌落测试性能却有下降。因为主要用于便携式终端设备，所以跌落测试性能比温度循环性能更重要。人们经常会不小心跌落设备但却不经常把它们从-40°C的环境带到150°C的环境。
　　车载器件
　　在便携式WLP设备中，过去的要求是低功率但不要求大电流容量。“溅射薄膜足够好而无需进行电镀，”Hunt这样解释。“对于大电流的汽车应用和高精度的精密仪器，我们已经从溅射RDL和凸块下金属层(UBM)转为采用电镀，这样才能处理增加的功率和精密仪器所需的低电阻。”
　　TSV用于增加封装密度
　　在市场上出现的某些高密度应用中，ASE看到了对TSV的需求。“我们已经为晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)做了一些TSV样品，使我们能在WLCSP中进行封装上封装(PoP)，把另外一块芯片或者WLP组装到WLP之上，”Hunt说。“我们的样品显示出该方案的可行性，但问题是：以目前的技术条件，在经济上这是否可行？这个问题仍在探索中。”
　　ASE自有在200mm晶圆上制作TSV的技术，但仍在工程研发阶段，尚未试图进行大规模生产。Hunt强调，它很可能会使成本增加，所以问题变成：折衷是否值得？“我们正在关注的另外一个趋势是将无源器件集成到WLCSP中，”他补充道。“这些器件将会进入再分布层，包括电感、不平衡变压器、匹配变压器，甚至是电容或电阻以提高设备功能。”
　　扇出
　　ASE从英飞凌得到扇出技术的授权。扇出是WLCSP技术的扩展，目前正处于验证阶段。ASE使用晶圆级工艺——但不是初始硅晶圆。“将晶圆上测试后已知性能良好的芯片切割下来，重新组装到辅助晶圆上，然后按照与硅晶圆相同的方法处理辅助晶圆，”Hunt解释道。“这将在初始硅芯片的限制范围之外创造出区域以放置焊料球。这意味着当你发展至65、45、32nm的技术节点时，你能够缩小硅的尺寸。你能够缩小芯片，将部分焊料球置于塑封材料之上，部分置于硅上。
　　我们正为英飞凌验证该技术，希望能够在2009年以aWLP的商
　　标供应市场。它将扩展现有的WLP技术的能力，使之与倒装芯片芯片尺寸封装领域发生重叠。”
　　嵌入式闪存
　　另外一个趋势是用户正将闪存嵌入他们的设备。“对嵌入式闪存的要求是只能进行低温工艺，”Hunt说。“现今用于再分布和再钝化的聚合物——尤其是聚酰亚胺和苯并二唑类聚合物(PBO)——需要的温度是325-375°C。闪存理想温度要求低于200°C。”这需要引入在可靠性方面不亚于现存聚合物的新型低温固化聚合物。
　　其他挑战
　　最近一个新的挑战给ASE制造了意想不到的困难。当用户增加芯片的复杂度和密度时，更多的功能部分被封装进芯片中，且大都使用再分布的方法。“与密度增加同时发生的是，一些引线键合焊盘或硅芯片上的焊盘降低到UBM结构之下。因为那里没有了衬垫效应，而是一个高应力集中区域，因此会降低可靠性。增加密度时焊盘下的通孔会导致这个问题。我们正试图优化设计——不但在在硅芯片级别上，而且在再分布系统结构上，来调节落到高密度器件焊垫下方的通孔。”
　　大电流也可能在将来带来一些挑战。Hunt表示，有些ASE的终端用户希望得到比传统上ASE为便携式设备提供的大得多的电流。“我们将不得不增加RDL的厚度和UBM结构的性能以及选择具有最好电迁移性能的合金，”Hunt说“嵌入式闪存和扇出技术中我们需要低温聚合物。对于扇出技术，当晶圆被埋入塑料框架，塑料框架必须有与硅相似的较低的热膨胀系数(TCE)，现今的材料有低的固化温度适合做塑料框架。如果你试图将高固化温度的聚酰亚胺PBO放到RDL上，它会使辅助晶圆弯曲而无法处理。对于这种情形，我们也需要低固化温度的材料。这种材料是存在的，只是可靠性却不如高固化温度材料。”
　　可靠性是另一个需要被关注的问题。虽然它一直是一个问题，但过去人们却最关心温度循环。“每个人都从标准封装技术推断，并且将标准封装技术的规则应用于晶圆级封装，但是很明显，相对于温度循环性能，手持设备终端用户对跌落测试性能更感兴趣，”Hunt说。“现在我们也看到对于有键盘的设备需要增加弯曲测试，按压时它会使电路弯曲在其中产生应力。弯曲测试和跌落测试是主要因素，但我们不能排除温度循环测试，而且我们必须使这些高密度、高I/O的产品通过所有这些测试。”

2009年硅晶圆需求将减35% 下半年反弹
发布时间： 2009-3-23 11:10:12    浏览次数： 273  
市场研究公司Gartner指出，2009年硅晶圆需求预计将较2008年减少35.3%。
    受金融危机造成的电子产品与半导体产品需求下降，2008年第四季度硅晶圆需求环比减少36.3%。
    Gartner目前预计2009年全球半导体收入将减少24%至33%。
    硅晶圆需求预计将在下半年获得一些增长动力。
    “我们最新的预期显示了2009年下半年市场将有暂时反弹，晶圆供应商应该为此做好准备。”Gartner半导体制造部门研究副总裁在一份报告中指出。

仙童半导体将关闭两座晶圆厂
发布时间： 2009-3-30 14:10:27    浏览次数： 182   资讯来源：新浪科技
仙童半导体近日宣布，作为其削减成本的努力的一部分，将关闭两座晶圆制造厂。
    该公司表示，这两座工厂分别位于宾夕法尼亚州的Mountain Top，以及韩国的富川(Bucheon)。
    该公司表示，预计此举将使其每年节约2000万至2500万美元。

新日铁开展SiC晶圆业务 质量不输美国可瑞
发布时间： 2009-3-31 9:45:25    浏览次数： 299   
新日本制铁(新日铁)着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC(碳化硅)晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸(50～100mm)的SiC晶圆。此前新日铁一直提供试制用晶圆的样品，而此次将从4月份起供应质量可用于元件量产的晶圆。计划2015年前后使该业务的年销售额规模达100亿日元。“毫无疑问，我们将成为仅次于(垄断SiC晶圆市场的)美国可瑞(Cree)公司，成为业界第二。不过我们的晶圆质量可是全球第一位的”(新日铁材料董事社长石山照明)。
　　新日铁材料将开始销售直径为2英寸(50mm)、3英寸(76mm)及4英寸(100mm)的n型4H-SiC晶圆。所有产品的中空贯通缺陷(微管)的存在密度均降到了1个/cm2以下。在引起元件成品率下降的位错缺陷方面，与可瑞的晶圆相比，新日铁的水平也毫不逊色。“为了提高SiC晶圆的结晶质量，采用了通过制铁用高炉开发的超高温温度控制技术”(新日铁新材料研究部长大桥渡)。
日本国内首次推出直径100mm晶圆，150mm晶圆将于2011年样品供货
　　这是日本国内厂商首次推出直径100mm的SiC晶圆产品(参阅本站报道1，参阅本站报道2)。该尺寸是量产元件时使用的最小尺寸，因此，此次实现产品化“将成为加快SiC晶圆元件量产步伐的原动力”(新日铁材料董事兼技术部长巽宏平)。可瑞计划09年～2010年推出的直径6英寸(150mm)的晶圆产品，“将于2011年开始样品供货”(巽宏平)。另外，新日铁此次推出的直径50～100mm的晶圆产品均为没有形成外延膜(Epitaxial Film)的普通晶圆(Bulk Wafer)。关于事先形成外延膜的外延晶圆(Epitaxial wafer)，“我们已经拥有制造设备，目前正在探讨当业务需求增高时如何实现业务化的问题”(巽宏平)。
　　新日铁材料最初计划主要面向日本国内元件厂商销售SiC晶圆。生产基地为该公司的子公司日铁微金属的寄居工厂(埼玉县)。预计最初以月产200～400张的规模进行量产，年销售额将达数亿日元。随着元件市场的发展，“生产规模及销售额也将实现数倍以上的增长”(巽宏平)。关于SiC功率半导体的用途，“最初将应用于产业设备、服务器及太阳能电池等领域，随后扩大到混合动力车及电动汽车领域”(新日铁材料的石山)。
“不同于硅晶圆”
　　新日铁并不是首次开展半导体晶圆业务。该公司此前曾开展过硅晶圆业务，不过03年退出了该业务。此次，关于开展SiC晶圆业务的理由，该公司例举了两点。“第一，与硅晶圆时期不同，在开展业务的过程中可确保自主开发的技术；第二，设备投资规模小，开展业务的风险较小”(新日铁材料的石山)。

德国Conergy拟取消合约硅晶圆厂MEMC大跌9%
发布时间： 2009-4-21 9:58:00    浏览次数： 325   
德国太阳能系统整合商Conergy AG 昨日发布新闻稿宣布，该公司计划取消与美国硅晶圆制造巨擘MEMC Electronic Materials Inc.签订的供应合约，并将在必要时采取法律行动。Conergy指出，该公司原定在3月27日公布2008年财报终值，但因该公司仍持续与MEMC进行协商而延后公布。费城半导体指数成分股MEMC 20日闻讯大跌9.22%，收14.17美元，创3月9日以来收盘新低。Conergy 20日则大涨17.02%，收1.65欧元。
    Conergy指出，由于经济环境骤变、太阳能产业已由卖方市场迅速转变为买方市场，因此该公司在09年初便开始与MEMC协商供应合约修改事宜。Conergy表示，若双方无法在未来几天内达成协议，则该公司将会在4月底前采取法律行动。Conergy指出，双方计划将供应合约年限缩短为1年。
    Conergy 20日同时表示，2008年该公司营收年增40%至10.06亿欧元；2008年息前税前盈余(EBIT)较先前公布初值下滑5,400万欧元至-2.13亿欧元(07年息前税前盈余也为-2.13亿欧元)，主要是因减计对MEMC预付款项的影响。
    Conergy并指出，受金融危机、经济衰退的影响，2009年第1季营收年减70%至6,500万欧元；此外，2009年该公司销售表现恐难以媲美2008年。
    MEMC、Conergy曾于2008年7月10日发布新闻稿指出，双方已同意将先前协议的10年期硅晶圆销售金额由原先的70-80亿美元下修至40亿美元，目的在使Conergy在营运与资金上有更多转圜的空间，以便成为具备获利能力的下游厂商，而MEMC也可将硅晶圆转供给其它客户。根据双方协议，MEMC主要将在合约的最后几年减少对Conergy的太阳能硅晶圆供应量，除此之外其它协议均未改变；MEMC仍将自2008年第3季起开始供货。

太阳能硅晶圆大厂拉高现增金额 5日股价大跌7%
发布时间： 2009-6-9 10:13:43    浏览次数： 507   
据中国能源信息网报道 太阳能硅晶圆大厂RenewableEnergyCorporationASA(RECASA)发布新闻稿指出，5日召开的特别股东大会(EGM)通过董事会提出的现金增资(rightsissue)乙案。新闻稿中表示，上述提案修正如下：增资金额自原先宣布的40亿挪威克郎增加至45亿挪威克郎，认购起始期间将延后至6月29日，其它日期亦随之进行调整。
　　REC5日终场大跌6.99%，收61.2挪威克郎，创5月13日以来收盘新低；今年以来跌幅约5%。
　　REC在新闻稿中表示，如先前在2009年Q1的财报所述，受到经济更不明朗与融资不易的影响，目前太阳能产品的需求依旧疲软。太阳能发电装置减少已令太阳能模块的需求与价格双双下滑。
　　REC5月25日曾指出，有鉴于市况不佳以及需求能见度低，旗下的太阳能硅晶圆制造商RECWafer决定暂时将产能减少35%左右。REC2月时预估2009年度太阳能电池模块价格将下跌15%左右。

08硅晶圆市场销售额减少5.7% 供应商排名无大变
发布时间： 2009-6-9 10:15:59    浏览次数： 390   
据semi报道 市场研究公司Gartner指出，2008年晶圆需求按销售额来计算下滑5.7%至118亿美元，主要原因是下半年需求停滞。这是自2001年以来首次年度销售额下滑。
　　从供应商排名来看，日本SHE仍排名第一，市占率达33.3%，增长0.8%，Sumco正在缩小与SHE额差距，两者市占率仅相差0.8%。SHE年销售收入下滑3.4%。
　　德国SiltronicAG仍排名第三，但收入同比减少27%，因而其市占率下滑3.3%至11.5%。这体现了Siltronic公司300mm晶圆所占比重不如前两家公司。这些公司都受到需求直落的负面影响。
　　MEMCElectronicMaterials仍排名第四，但其收入下滑24%，市占率下滑至7.8%。排在第五的是LGSiltron，市占率保持在7.2%，尽管收入下滑4.8%，但该公司在韩国和中国的销售额有所增加。

茂迪反扑上游厂 竞标采购硅晶圆
发布时间： 2009-6-9 16:28:42    浏览次数： 208   
据慧聪网报道 近期业界传出太阳能电池龙头厂茂迪要求上游硅晶圆供货商提报价格竞标，成为景气反转以来，首家电池厂采竞标方式购料，此举将有助于电池厂取得最低成本料源，被视为是台系电池厂向上游厂反扑的“第1击”。茂迪发言体系对此表示，采购单位确实有此想法，但目前仍未实施，亦无法预知实施成效为何。
　　近期传出长期合约负担相对较轻的茂迪，广邀太阳能硅晶圆厂共同报价，俨然比照一般产业买家采购材料所采用竞标行为，电池厂要求硅晶圆厂竞标来采购料源，可说是2004年太阳光电快速成长以来极罕见的采购策略，更是台湾太阳光电史上的创举，目前在全球同样少见。
　　茂迪发言人暨财务长沈桢林证实，目前采购单位确实有这个想法，但仍未真正实施，亦不知未来实施后的成效为何。
　　太阳能业者表示，茂迪料源结构有3成来自长期多晶硅合约，3成来自来料代工，3成来自现货市场购料，所有料源需求只有3成受限于合约，且其中有高达5成比重的合约价，较现货市场报价来得更有竞争力，另有5成料源合约则有价格压力，但就整体料源结构来看，是目前台系太阳能电池业者中，少数受长期合约束缚相对轻的业者。
　　茂迪要求硅晶?篥t集体报价竞标，凸显自2008年第4季大环境改变导致不景气以来，由卖方市场转为买方市场主导，已经由系统端、模块端正式延伸到电池端，只是仍有诸多电池厂受限于合约料源束缚，是否有能力跟进采竞标方式采购硅晶圆，则仍有待观察。
　　目前各家电池厂在采购现货硅晶圆时，多数仍是向硅晶圆或各卖家通路逐一询价，再圈选理想对象进行议价，茂迪反过来要求硅晶圆厂一起摊开底价，将有助于提升议价能力，并增进其料源成本竞争力。
　　太阳能硅晶圆厂透露，茂迪系采用信件通知方式，要求诸多硅晶圆厂参加竞标，目前仍不知有多少硅晶圆厂参与，更不知茂迪最终决定采购依据为何，不过，预估价格最低者的得标机率高，至于硅晶圆厂尽管部分业者不会想要流血抢标，但对于有资金及库存压力的硅晶圆厂，恐怕亦不得不加入流血抢标行列。