会议会展
SAGSI
切换风格
登录
立即注册
只需一步,快速开始
搜索
搜索
本版
帖子
用户
首页
BBS
近期会议
ACMI会展
SAGSI
咨询规划
市场报告
联系我们
签到
公告
每日签到
有机硅
»
首页
›
≡ 技术专区 ≡
›
多晶硅/PCS技术交流
›
冶金法制备多晶硅的晶体生长及其杂质缺陷研究
返回列表
查看:
678
|
回复:
1
冶金法制备多晶硅的晶体生长及其杂质缺陷研究
[复制链接]
甘棠
当前离线
积分
13842
IP卡
狗仔卡
TA的每日心情
无聊
2023-2-1 11:52
签到天数: 2 天
[LV.1]初来乍到
甘棠
发表于 2013-2-28 06:04:00
|
显示全部楼层
|
阅读模式
一篇非常好的研究冶金法生产多晶硅的论文,文章图文并茂,内容丰富。十分适合做冶金法及研究冶金法的同仁看,需要的自行下载!
华为网盘附件:
【华为网盘】 冶金法制备多晶硅的晶体生长及其杂质缺陷研究 .caa(376B)
http://dl.dbank.com/c0w1iilsv7
回复
使用道具
举报
提升卡
置顶卡
沉默卡
喧嚣卡
变色卡
千斤顶
显身卡
匿名
47.36.58.x
匿名
发表于 2013-3-3 07:44:00
谢谢楼主分享 能不能不要在传到华为网盘了
回复
支持
反对
使用道具
悔悟卡
匿名卡
显身卡
返回列表
浏览过的版块
投诉建议