激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱法 测定多晶硅中杂质元素

采用激光剥蚀固体进样技术结合电感耦合等离子体质谱法测定了多晶硅中的元素 B、Cu 和 Zn。考察了该三种杂质元素在多晶硅样品不同深度层面和同一深度层面的分布情况; 尝试了采用硅基体信号归一化的方法计算了测定元素的含量。结果表明，杂质元素 B、Cu 和 Zn 在多晶硅材料中分布均匀，且测定结果与辉光放电质谱法的测定结果相吻合。这一方法可用于判别多晶硅表面的污染情况，以及杂质元素在多晶硅材料内部分布的均匀性。


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