多晶硅还原炉内的八大反应

多晶硅还原炉内的八大反应

钟罩式多晶硅还原炉内各反应主要有以下8种：

⑴SiHCl3＋H2＝Si＋3HCl↑(1050-1100℃)
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⑵2SiHCl3＝Si＋2HCl↑＋SiCl4 （热分解）
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⑶SiHCl3＝SiH2Cl2＋HCl↑(900-1000℃)

. R' _7 X* `$ P⑷Si＋2HCl≒SiH2Cl2(＞1200℃或低温腐蚀)

8 A; b. I0   V( z: R' n+ v( r9 H⑸SiHCl3＝SiH2Cl2＋SiCl4（ Si＋SiCl4≒SiCl2）

⑹SiCl4＋2H2＝Si＋4HCl↑（高温下）

⑺4SiHCl3＝Si＋2H2↑＋3SiCl4（热分解）

⑻Si＋4HCl＝2H2↑＋SiCl4（腐蚀）

（1）（2）为主要的，其余的为次要的。

但温度超过规定值或者低于规定值，其他的几个反应就要多起来了，影响沉积速率，甚至产品质量。所以，多晶硅生产中，对还原炉内的温度控制相当严格的，是专门有一套系统来控制的。