[硅晶圆]超跃英特尔 日企宣称搞定16nm制造工艺

  发布时间： 2009-6-16 16:57:57    浏览次数： 78   
据新浪网报道   对于电子产品来说，制程的提升意味着性能、体积、功耗和成本各方之间可得到进一步升华，所以很多半导体厂商都在制程提升上做出很多努力。简单来说：制程变小后，单位面积上可以放置更多的晶体管，在硅晶圆的面积不变的情况下，可以集成更多的晶体管，这就降低了硅晶圆的成本；制程提高后，各个晶体管所需要的电流也将变小，电压也会变小所以发热量也就更低。
　　目前大多数存储芯片处于30nm制程，而逻辑电路更是在42nm制程徘徊。而东芝已经宣布他们在制程提升上取得了突破，他们已经可以制造出16nm甚至更低制程的场效应管。突破的关键是他们使用了锗代替现在流行的硅，锗一直以来都被认为有潜力制造更小的设备，但是它也比硅存在更多的问题，难于控制。但是现在硅化合物的潜能已经发掘殆尽，所以人们再一次将目光转向了锗。而关于此项技术的细节，东芝称他们将会在下周在东京举行的2009 VLSI座谈会上详细讲解他们的成果。由此来看，我们所熟知的“摩尔定律”又会因此项技术的应用而继续生效下去。