兼具低成本与高转换效率潜力的CIGS太阳能技术探讨

发布时间： 2009-8-3 10:12:53    浏览次数： 247   资讯来源：索比太阳能  
近年全球业者竞相投入主流结晶硅太阳能的同时，硅薄膜太阳能因多晶硅缺料问题，一度吸引不少目光，而First Solar在碲化镉(CdTe)太阳能技术独大，让后进者望其项背。许多新进业者在评估以其它技术切入太阳能市场的可能下，同样具有低生产成本与高转换效率潜力的铜铟镓硒(CIGS)太阳能技术，逐渐受到关注。
    CIGS太阳能技术处于研发阶段，是薄膜太阳能中少数尚未有主流制程出现的太阳能技术。CIGS为I-III-VI族化合物，由铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)与硒(Se)等4元素组成，须在特定温度与特定组成下，才可形成适用于太阳能材料的半导体，且应用在太阳能量产技术的困难度较高，因此虽有各种不同制程路线被提出，但各种制程也有其缺陷，加上过去对CIGS半导体材料的研究并未如硅材料透彻，使CIGS太阳能技术带有部分谜样色彩。
    一般而言，CIGS依吸收层制程技术可分真空制程与非真空制程两大类，真空制程又以共蒸镀(co-evaporation)与溅镀(sputtering) 2种方式最常被应用，非真空制程的量产技术具有低设备成本的优势，部分业者亦从电镀与奈米印刷方面研究量产的可能。