在有机硅合成流化床操作中,温度对反应,特别是对催化剂CuCl的影响至关重要整个反应中要求温度在要求的区间里缓慢平稳爬升,正常反应阶段小幅波动,区间315+/-5°C。 1. 导热油盘管排气。全开每组盘管入口阀门,均衡相间关闭总盘管数2/3的出口阀,3分钟后,另外1/3盘管排气,阀门先开后关,逐对操作,重复操作,直至所有盘管排气完成。 2. 确认硅粉罐有足量的硅粉;催化剂已经到位。 3. 废热锅炉排污,每六小时一次,包括间断排污和连续排污。 4. 流化床键床前用氯甲烷吹扫流化床,温度设定310°C, 用床下步的温度传感器作为温度的PV; 氯甲烷量10000kg/h, 温度爬升速度3°C/min.。 5. 用氮气吹扫流化床温度计,压力计,吹扫时氮气流量是正常量的10倍(和第1步可以同时进行)。 6. 建床硅粉20吨,(在硅粉进料阀下的垂直管线上加装限流孔板,孔板内径???, 原则上是要用少于阀门全开时间的两倍时间将阀后的硅粉漏完), 操作技巧:阀门开8秒关闭时间大于15秒,同时,添加硅粉的速率要保证床温大于300°c, 用时间来换取温度的稳定,严格控制硅粉加入速率,尽可能做到匀速加入硅粉,在正常反应阶段也要尽可能匀速加入硅粉;作为载气的氯甲烷10000kg/h。 7. 在建床期间,床层温度一定大于225°C, 8. 逐渐将氯甲烷总量提到150000kg/h, 爬升速率60kg/h. 9. 氯甲烷达到150000kg/h后,将床层温度的设定值逐步降低至270°C,每部调整温度2°C,当PV和SV相等时才能进行下一步。 10. 等到床层温度稳定在270°C时,将作为硅粉载气的氯甲烷量提到25000kg/h,并确认此时床层温度稳定在270°C,开始加入催化剂A/B/C/D,保持床层温度稳定在270°C,用废热锅炉来控制温度,如果温度上升过快,可以继续添加硅粉,控制硅粉添加速度,尽可能匀速加入,原则上保证床温不低于270°C。 11. 将氯甲烷的总量设定为20000kg/h,爬升速率60kg/min。 12. 将床温提到295°C,稳定温度,加入反应初始化引发剂(少于计算量,由管理层决定),控制床层温度爬升到315°C。DCS操作员此时操作要思路清晰,由于引发剂的加入,催化剂的活性被激活,温度上升较快,此时可以提高整个床层的压差,匀速加入更大量的硅粉,注:当废热锅炉旁路关闭到50%时,开始匀速加大硅粉量,同时,继续缓慢关闭废热锅炉旁路至5%,如果温度上升,继续匀速加大硅粉量,将温度控制在315°C,正负2°C, 逐步将废热锅炉的旁路回到50%的开度。此步操作非常关键,床温一定要尽可能稳定,不要出现为了打压温度将大量的硅粉一次性送入床内。 13. 通过浆渣取样,样品中固体颗粒的含量来调整氯甲烷总的气量。 14. 反应稳定后,按照规程,定时定量补加引发剂。 15. 当氯甲烷总量提到150000kg/h时,将床层压力控制到设计值260mb??? 16. 稳定氯甲烷的量1小时,观察反应器温度和其顶部温度差。 17. 如果两小时后这个温差大于10°C,将氯甲烷总量提到20000kg/h,提升速率60kg/min., 18. 任何时候反应器温度和其顶部温度相差小于5°时,降低氯甲烷的总量,100kg/min,等待1小时。 19. 如果1小时后,反应器温度和其顶部温度仍然相差小于5°C,重复第14动作,直到氯甲烷总量降到16000kg/h。
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