二氧化硅的热行为性质

将沉淀二氧化硅加热就析出水，由于二氧化硅表面羟基不同，它所吸附的水分的热行为性质也各异，加热失重的温度也就不同。

    将沉淀二氧化硅在100~150℃时，孔隙中的自由水首先失去。150~200℃时曲线趋向平缓，200~250℃时失去水分，为通过氢键与硅醇键结合的吸附水。250~700℃时又是一段平缓线，而在700~900℃时，在Sio2两个硅醇基间脱去结构水，且形成Si--O--Si键。在900℃以上的硅醇基功能团仍然存在。

    若将在不同温度下达热失重平衡的沉淀二氧化硅再暴露于水蒸气中时，则能发生重新发生水合作用。但随原加热的温度的升高，重新水合作用极具减小。

杨格认为重新水合的过程，在中等温度（200~150℃）发生结合羟基缩合时，发生了具有“内应力”的硅氧键；这种键可重新发生可逆的水合作用，又生成了结合羟基；而在高温下，则缩合形成除去了“内应力”的键，这种键是稳定的，他不能发生重新水合作用。

研究工作表面：沉淀二氧化硅表面的隔离羟基和相邻羟基，在存放过程中，接触水蒸气就会改变浓度。其中隔离羟基不变化，说明在生产过程中生成的隔离羟基是稳定的，而相邻羟基会逐渐增多，个现象也可以用杨格的机理来解释，即在高温下形成了某些含有“内应力”的硅--氧--硅键，它可吸水打开而形成更多的相邻羟基。

       X--射线衍射也证明了二氧化硅，在常温~700℃温范围内，加热不会改变其无定形结构，大雨700℃时开始出现向结晶结构变化，至800℃就完全变为低温型方英石的结晶。

在不同温度下加热后测定的比表面积数据，也说明当温度从室温到700℃时，比表面积不变，这说明其结构未发生变化；但大于700℃后比表面积逐渐减小，这表面结构发生了变化，表面熔结，吸附能力相应减小。

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